DGIST, 두께 6분의 1로 줄인 고성능 박막형 광다이오드 개발

고성능 광다이오드를 개발한 DGIST 정대성 교수가 포즈를 취하고 있다.

DGIST(총장 손상혁)는 에너지공학전공 정대성 교수 연구팀이 두께를 기존 실리콘 광다이오드의 6분의 1로 줄인 고성능 광다이오드를 개발했다고 24일 밝혔다. 이는 정방형 페로브스카이트 나노입자를 활용해 광다이오드의 안정성과 성능을 증가시킬 수 있는 기술이다.

이 광다이오드는 현재 산업계에서 사용 중인 실리콘 광다이오드가 3마이크로미터(㎛)가 넘는 두께로 인해 해상도 향상에 한계가 있는 문제점을 극복했다. 최적화된 0.5마이크로미터 두께의 박막형 광다이오드는 실리콘 광다이오드와 유사한 1.8X1012존스(Jones)의 감광도를 보였다. 또 상대 습도 80% 이상의 열악한 조건에서도 10시간 이상 안정적으로 구동됐다.

연구팀은 이번 연구 결과를 통해 광다이오드뿐만 아니라 페로브스카이트를 사용하는 발광다이오드, 태양전지 등 다양한 광학기기의 안정성을 향상시킬 수 있는 방법을 제시했다. 더불어 세슘납아이오다이드 페로브스카이트 나노입자는 저온에서도 공정이 가능해 다양한 유비쿼터스 분야에 활용 가능할 것으로 기대된다.

정 교수는 “이번 연구로 개발한 소형, 고성능의 광다이오드는 높은 집적도와 해상도가 요구되는 자율주행 자동차, 군사, 우주탐사 분야에 활용 가능할 것”이라며 “앞으로 페로브스카이트 광다이오드를 이용한 저가의 고효율, 고안정성 이미지센서를 개발해 다가오는 4차 산업혁명을 주도하겠다”고 말했다.

이번 연구 결과는 광학분야 국제 학술지 ‘레이저 & 포토닉스 리뷰(Laser & Photonics Reviews)’ 11월6일자 표지 논문으로 게재됐으며, 한국연구재단 거대과학연구개발사업 및 이공분야 기초연구사업의 지원으로 수행됐다.

박종문기자 kpjm@yeongnam.com

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